RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
40
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
40
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2362
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link