RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
36
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3331
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link