RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3460
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link