RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
36
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3309
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link