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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
36
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
26
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3017
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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