Comparaison de la RAM Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Note globale

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

23 36

Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

18.2 15

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

15.1 10.3

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 17000

Autour de 1.25 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2569 3498

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns