RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
36
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
22
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3182
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link