RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
36
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
22
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2566
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link