RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
56
Autour de 36% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
15
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
56
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
25600
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2071
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link