RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
36
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2720
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Comparaison des RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link