RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
36
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2589
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link