RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
40
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
40
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2411
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link