RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
34
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
33
Vitesse de lecture, GB/s
15.4
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2763
3238
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link