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Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
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Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
36
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
35
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2490
2822
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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