RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
28
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3741
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link