RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
38
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
38
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2807
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link