RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
37
Autour de 11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
37
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2990
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link