RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
33
Autour de -43% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
23
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3007
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link