RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
33
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
32
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3592
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link