RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
33
Autour de -14% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
29
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3221
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link