Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Note globale
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Note globale
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Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    17.6 left arrow 16.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 21300
    Autour de 1.2% bande passante supérieure
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    29 left arrow 33
    Autour de -14% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    13.0 left arrow 12.0
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    33 left arrow 29
  • Vitesse de lecture, GB/s
    17.6 left arrow 16.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    12.0 left arrow 13.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2910 left arrow 3221
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons