RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
34
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
34
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2826
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link