RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
33
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3062
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link