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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
35
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
35
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2559
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
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