RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
33
Autour de -3% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
32
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2920
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link