RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
33
Autour de -27% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
26
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2456
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link