RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
33
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
29
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3567
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KCDT82-MIE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link