RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
33
Autour de -3% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
32
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3208
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link