Comparaison de la RAM Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Note globale

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

17.6 15.6

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.0 11.8

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 19200

Autour de 1.33% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

26 33

Autour de -27% latence réduite

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2910 2382

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns