RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
33
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
20
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3395
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link