RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
34
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
34
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2851
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link