RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
34
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
34
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3527
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link