RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
33
Autour de -10% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
30
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2266
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link