RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
33
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
22
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3254
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link