RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
17
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
33
Autour de -3% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
32
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2958
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link