RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
34
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
34
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2583
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link