Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB vs Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Note globale
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Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

Note globale
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB

Différences

  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 12800
    Autour de 1.66% bande passante supérieure
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    38 left arrow 76
    Autour de -100% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.6 left arrow 10.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.8 left arrow 6.9
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    76 left arrow 38
  • Vitesse de lecture, GB/s
    10.3 left arrow 15.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    6.9 left arrow 9.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    21300 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1260 left arrow 2566
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons