RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
36
Autour de -50% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
24
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
2618
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link