RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
36
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
2973
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link