RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
23.7
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
23.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
19.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
4243
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link