RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
3419
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link