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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
36
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
33
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
3285
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
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