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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Comparez
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Note globale
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
41
Autour de -78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2322
2763
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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