RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Comparez
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Note globale
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
41
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2322
2722
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link