RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Comparez
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Note globale
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
41
Autour de -78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2322
3125
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link