RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Comparez
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Note globale
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
76
Autour de 45% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
76
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
1624
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link