RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
73
Autour de 49% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
73
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1638
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link