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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
186
Autour de 80% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
3.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
2.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
186
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
3.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
2.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
536
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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