RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
37
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3595
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kllisre 0000 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link