RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
37
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3755
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Inmos + 256MB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link