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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
37
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3044
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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